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厂里研发设备，我负责设计控制电路，在进行电路审核时，同事找到我提出一个疑问。我想这也是很多电工同行们容易忽视的问题。在此与师傅们互相学习。同事疑问的地方，我已从整体电路中分离出来，以便于讨论。电路控制原理，按下按钮关SB，电流经接触器KM2常闭触点，流过接触器KM1线圈，接触器KM1得电吸合，接触器KM1的常触点闭合，接触器KM2线圈得电，接触器KM2吸合自锁，串联在接触器KM1线圈回路中的接触器KM2的常闭触点断，接触器KM1的线圈失电，接触器释放，如图一。稳压管WGl、WG2作为标准比较电压。2cW1稳压管稳压值为7.0~8.8Ⅴ，功耗为280mW2.检测桥的电路：当输入电J土UsrUwG时，稳压管工作，RR3上压降为Usr-UwG，所以Usc=UwG2－UR2=2UwG－Usr。稳定环节：由RRRRCC3组成防止系统振荡电路。移相触发环节：由单结晶体管BT33稳压管WG3（2CW20B稳压值13.5~17Ⅴ）、电阻RRR电容C三极管BGl和脉冲变压器BM组成触发电路。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。NPN型三极管在三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。在传感器接线时，首先确认传感器的信号类型，为PNP还是NPN。如下即为两种类型传感器的输出。NPN型传感器与PNP型传感器的输出接线图传感器电缆：棕色-24V+蓝色-24V-白色、黑色-信号线注意：在同一个plc输入模块上，仅能接入同一种类型的传感器。即PNP型传感器和NPN型传感器不可同时接入同一个模块。在进行PLC输入接线时，需要依据传感器的类型来确定PLC输入采用何种方式。与传感器类型有如下的对应关系：NPN型传感器：PLC侧应采用漏型输入方式；PNP型传感器：PLC侧应采用源性输入方式。