二是铝消费总体较为平稳，但房地产等领域对铝消费拉动有所减弱，铝材出口下滑，铝库存维持高位。前11个月，房屋施工面积同比增长3.1%，新工面积同比增长6.9%，增速分别0.2个和1.3个百分点，但房地产投资增速自三季度以来出现回落；电网工程完成投资额较上年同期也出现了2.2%的下降。

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伏安法测量电阻的方法将待测电阻接上直流电源，然后用电压表和电流表分别测量电阻两端的电压和通过电阻的电流，再根据欧姆定律计算出被测电阻。因为测量过程中需要借助电压表和电流表，伏安法是一种间接测量电阻的方法。我们知道，电压表常常并联与电路中使用，电流表常常串联在电路中使用，都是可以带电操作的，故伏安法可以带电进行电阻的测量。伏安法测量电阻的接线方式1）电压表前接电路：适用待测电阻很大（远大于电流表内阻）的情况。在330kV及以上电压等级变电所，220kV及以上回路数较多，电流回路电缆较长，电流互感器二次额定电流采用1A是经济的。电流互感器一次和二次额定电流选定后，电流互感器的额定变比也就确定了。在实际工程中，工程的初期符合往往较轻，与回路的设计负荷相差较大，电流互感器的二次电流很小。指针电流表读数有困难或不能保证机电保护装置工作电流的要求。这就要求在不更换电流互感器情况下，改变其电流变比。改变电流互感器的变比，通常采用以下方法：采用双变化的电流互感器。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。直接在管道上的仪表，宜在(管道扫后压力试验前)，当必须与管道同时时，在(管道扫前)应将仪表拆下。3仪表盘、柜、台、箱在搬运和过程中，应防止(变形)和(表面油漆损伤)。及中严禁(使用气焊切割)。3仪表盘、柜、操作台的型钢底座的(尺寸)，应与盘、柜、操作台相符，其直线度允许偏差为(每米1mm)，当型钢底座长度大于5m时，全长允许偏差为(5mm)。3仪表箱、保温箱、保护箱的时垂直度允许偏差为(3mm)；当箱的高度大于1.2m时时，垂直度允许偏差为(4mm)；水平度允许偏差(3mm)。基本数据类型：位（bit）2.字节（Byte）8位二进制数组成一个字节。其中，第0位为位（LSB），第7位为位（MSB）。寻址方式：地址标识符+B+字节地址，其中，"B"即代表字节。基本数据类型：字节（Byte）3.字（Word）相邻的两个字节组成一个字，16位。字用 ]10进制寻址方式：地址标识符+W+首字节地址，其中，"W"代表字。