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用高中学过的直线方程两 ），求（x,y）。先熟悉模拟量采集的对应关系，如图，4-20mA对应0-27648PLC电压测量值对应关系PLC电流测量值对应关系4-20mA转换为0-50MPa程序经过两步就可以把，采集到的模拟量4-20mA，转换为0-50MPa。如果是-10V-10V对应0-50MPa，只需要把min赋值为-27648。理解上述两步，其实就是把线性关系两点式分两步完成了。上式为 磁铁激磁的步进电机产生的电磁转矩，因此有下面的公式：E0=NdΦ/dtθ=ωtω=Nrωm式中，Φ为交链磁通，θ为转子转动角，ω为电气角速度，N为相线圈匝数。E0=NdΦ/dt由法拉第定律得来。θ=ωt为机械角与电气角的关系式，把上式代入到T=E0I/ωm可得：T=E0I/ωm=N(dΦ/dt)I/ωm=N(dΦ/dθ)(dθ/dt)I/ωm=N(ω/ωm)(dΦ/dθ)I(dΦ/dθ)=NNrI(dΦ/dθ)步进电机的转矩由永磁体产生的交链磁通变化率与流过线圈电流之积产生为感应电动势，图表示如下：将此E0代入T=E0I/ωm，单相转矩变为下式：T1=2NIBLr依据图， 磁铁激磁的步进电机转矩公式为（T1=2NIBLr），当Nr=1时，转矩公式与直流电机的转矩公式（T=2NIBLr）相同，直流电机的气隙磁通B，相当于步进电机的交链磁通的有效当量部分总和。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。“门口灯，床头关灯”又称"一灯双控接法"，就是一个灯用两个关都能控制灯的亮与灭。常见的用处有，楼下灯，上楼后楼上关灯；门口灯，床头关灯；前门灯，后门关灯等等，都是为了方便实现一个地方能关灯，另一地方也能关灯。基本原理图如下它的原理非常简单，只需比单控关多一条线就可实现，主要由两个双控关来组合实现。都是二选一关，因此任何时刻，拨动任一关，灯不是亮就是灭。当左边关拨动是灯亮的时候，右边关拨动必然是灯灭，反之亦然。